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Número de pieza(s) : NTE69
NTE Electronics
NTE Electronics
componentes Descripción : Silicon NPN Transistor UHF/VHF Amplifier
Número de pieza(s) : MRF607
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2SC3022
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER Transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3022 C3022
New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER Transistor)
Número de pieza(s) : BFY90
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2SC3379 C3379
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER Transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3022 C3022
Mitsumi
Mitsumi
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER Transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3021 C3021
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER Transistor)
Número de pieza(s) : BFY90
Advanced Power Technology
Advanced Power Technology
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2N5481
American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
componentes Descripción : NPN UHF POWER Amplifier Transistor
Número de pieza(s) : MRF607
Advanced Power Technology
Advanced Power Technology
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2N2857
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS (Rev - V2)
Número de pieza(s) : 2N2857
Advanced Power Technology
Advanced Power Technology
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TransistorS
Número de pieza(s) : MPSH10 MPSH10-TA
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
componentes Descripción : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Número de pieza(s) : CSC1730
Continental Device India Limited
Continental Device India Limited
componentes Descripción : NPN SILICON EPITAXIAL RF Transistor
Número de pieza(s) : TP3021
Motorola => Freescale
Motorola => Freescale
componentes Descripción : UHF POWER Transistor
Número de pieza(s) : 2SC3302 C3302
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Transistor SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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